BOM

RN1110CT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые › RN1110CT(TPL3)
RN1110CT(TPL3) P1
RN1110CT(TPL3) P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1110CT(TPL3)

номер части
RN1110CT(TPL3)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- RN1110CT(TPL3) PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части RN1110CT(TPL3)
Статус детали Obsolete
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 50mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 20V
Резистор - основание (R1) (Ом) 4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
Частота - переход -
Мощность - макс. 50mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-101, SOT-883
Пакет устройств поставщика CST3

сопутствующие товары

Все продукты

Образ номер части Производители Описание PDF В наличии Посмотреть
RN1110(T5L,F,T) RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 0 подробности
RN1110,LF(CT RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM - 0 подробности
RN1110ACT(TPL3) RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 - 0 подробности
RN1110CT(TPL3) RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 - 0 подробности
RN1110MFV,L3F RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM 0 подробности
RN1111,LF(CT RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM - 0 подробности
RN1111ACT(TPL3) RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 - 0 подробности
RN1111CT(TPL3) RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 0 подробности
RN1111MFV,L3F RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage X34 PB-F VESM PLN LF TRANSISTO - 2272607 подробности
RN1112(T5L,F,T) RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM - 0 подробности
RN1112ACT(TPL3) RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 0 подробности
RN1112CT(TPL3) RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 0 подробности