MT3S113TU,LF

RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
MT3S113TU,LF P1
MT3S113TU,LF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ MT3S113TU,LF

номер части
MT3S113TU,LF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MT3S113TU,LF PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MT3S113TU,LF
Статус детали Active
Тип транзистора NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 5.3V
Частота - переход 11.2GHz
Шум (дБ Тип @ f) 1.45dB @ 1GHz
Усиление 12.5dB
Мощность - макс. 900mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 3-SMD, Flat Leads
Пакет устройств поставщика UFM

сопутствующие товары

Все продукты