BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET
BS2100F-E2 P1
BS2100F-E2 P2
BS2100F-E2 P1
BS2100F-E2 P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ BS2100F-E2

номер части
BS2100F-E2
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
IC DVR IGBT/MOSFET
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BS2100F-E2 PDF online browsing
семья
PMIC - драйверы Gate
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BS2100F-E2
Статус детали Not For New Designs
Управляемая конфигурация Half-Bridge
Тип канала Independent
Количество драйверов 2
Тип ворот N-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка 10 V ~ 18 V
Напряжение логики - VIL, VIH 1V, 2.6V
Текущий - пиковый выход (источник, раковина) 60mA, 130mA
Тип ввода Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап) 600V
Время нарастания / падения (Тип) 200ns, 100ns
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-SOP

сопутствующие товары

Все продукты