NTLJS3A18PZTXG

MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
NTLJS3A18PZTXG P1
NTLJS3A18PZTXG P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NTLJS3A18PZTXG

номер части
NTLJS3A18PZTXG
производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NTLJS3A18PZTXG PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NTLJS3A18PZTXG
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2240pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 6-WDFN (2x2)
Упаковка / чехол 6-WDFN Exposed Pad

сопутствующие товары

Все продукты