Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NSBA113EF3T5G

номер части: NSBA113EF3T5G
производитель: ON Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: - NSBA113EF3T5G PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

номер части	NSBA113EF3T5G
Статус детали	Active
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	50V
Резистор - основание (R1) (Ом)	1k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом)	1k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	3 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	500nA
Частота - переход	-
Мощность - макс.	254mW
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SOT-1123
Пакет устройств поставщика	SOT-1123

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
NSBA113EDXV6T1	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563		0	подробности
NSBA113EDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563	-	0	подробности
NSBA113EF3T5G	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL PNP	-	0	подробности
NSBA114EDP6T5G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963	-	0	подробности
NSBA114EDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	-	60000	подробности
NSBA114EDXV6T5	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563		0	подробности
NSBA114EDXV6T5G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563		0	подробности
NSBA114EF3T5G	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123	-	0	подробности
NSBA114TDP6T5G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963	-	0	подробности
NSBA114TDXV6T1	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563		0	подробности
NSBA114TDXV6T5	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563		0	подробности
NSBA114TF3T5G	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123	-	0	подробности