| номер части | IRFW630BTM-FP001 |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 200V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 720pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.13W (Ta), 72W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263AB) |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFW630BTM-FP001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | - | 123774 | подробности |
 |
IRFW630BTM_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | - | 0 | подробности |
