Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ FCP190N65S3

номер части	FCP190N65S3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.7mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±30V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1350pF @ 400V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	144W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220-3
Упаковка / чехол	TO-220-3

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
FCP104N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 37A TO-220	-	710	подробности
FCP104N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220	-	1574	подробности
FCP110N65F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 35A TO220	-	649	подробности
FCP11N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220	-	1161	подробности
FCP11N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220	-	4594	подробности
FCP11N60N	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220	-	800	подробности
FCP11N60N-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F	-	38663	подробности
FCP11N60N_F102	Fairchild/ON Semiconductor	FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI	-	0	подробности
FCP1206C123G	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206		0	подробности
FCP1206C123G-H1	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206		0	подробности
FCP1206C123J	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206		0	подробности
FCP1206C123J-H1	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206		0	подробности