MRFE8VP8600HSR5

BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
MRFE8VP8600HSR5 P1
MRFE8VP8600HSR5 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRFE8VP8600HSR5

номер части
MRFE8VP8600HSR5
производитель
NXP USA Inc.
Описание
BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MRFE8VP8600HSR5 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRFE8VP8600HSR5
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 860MHz
Усиление 21dB
Напряжение - испытание 50V
Текущий рейтинг 20µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 1.4A
Выходная мощность 140W
Напряжение - Номинальное напряжение 115V
Упаковка / чехол NI-1230S-4S
Пакет устройств поставщика NI-1230S-4S

сопутствующие товары

Все продукты