Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF8VP13350GNR3

номер части: MRF8VP13350GNR3
производитель: NXP USA Inc.
Описание: TRANS RF LDMOS 350W 50V
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: MRF8VP13350GNR3.pdf MRF8VP13350GNR3 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	MRF8VP13350GNR3
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual)
частота	1.3GHz
Усиление	19.2dB
Напряжение - испытание	50V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	100mA
Выходная мощность	350W
Напряжение - Номинальное напряжение	100V
Упаковка / чехол	OM-780G-4L
Пакет устройств поставщика	OM-780G-4L

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
MRF8VP13350GNR3	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 350W 50V		0	подробности
MRF8VP13350NR3	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 350W 50V		0	подробности
MRF8VP13350NR5	NXP USA Inc.	RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13	-	484	подробности