| номер части | MRF6V10010NR4 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 1.09GHz |
| Усиление | 25dB |
| Напряжение - испытание | 50V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 10mA |
| Выходная мощность | 10W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 100V |
| Упаковка / чехол | PLD-1.5 |
| Пакет устройств поставщика | PLD-1.5 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V10010NR4 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 | - | 100 | подробности |
 |
MRF6V10250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | - | 0 | подробности |
|
MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | - | 0 | подробности |
 |
MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | 0 | подробности | |
 |
MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | 50 | подробности | |
|
MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | 0 | подробности | |
|
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | 0 | подробности | |
|
MRF6V12500GSR5 | NXP USA Inc. | PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE | - | 178 | подробности |
 |
MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | - | 0 | подробности |
 |
MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | - | 0 | подробности |
|
MRF6V12500HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS | - | 0 | подробности |
|
MRF6V12500HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H | - | 0 | подробности |
