| номер части | AFT27S012NT1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 728MHz ~ 2.7GHz |
| Усиление | 20.9dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | 10µA |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 90mA |
| Выходная мощность | 13W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | PLD-1.5W |
| Пакет устройств поставщика | PLD-1.5W |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFT20P060-4GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW | 0 | подробности | |
 |
AFT20P060-4NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 | 0 | подробности | |
|
AFT20P140-4WGNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW | 0 | подробности | |
 |
AFT20P140-4WNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4 | 0 | подробности | |
 |
AFT20S015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G | 0 | подробности | |
 |
AFT20S015NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 | 0 | подробности | |
|
AFT21H350W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S | 0 | подробности | |
|
AFT21H350W04GSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ | 0 | подробности | |
|
AFT21S140W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | 0 | подробности | |
|
AFT21S140W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | 0 | подробности | |
|
AFT21S220W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | 0 | подробности | |
|
AFT21S220W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S | 0 | подробности |
