Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ AFT05MS006NT1

номер части: AFT05MS006NT1
производитель: NXP USA Inc.
Описание: FET RF 30V 520MHZ PLD
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: AFT05MS006NT1.pdf AFT05MS006NT1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	AFT05MS006NT1
Статус детали	Not For New Designs
Тип транзистора	LDMOS
частота	520MHz
Усиление	18.3dB
Напряжение - испытание	7.5V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	100mA
Выходная мощность	6W
Напряжение - Номинальное напряжение	30V
Упаковка / чехол	PLD-1.5W-2
Пакет устройств поставщика	PLD-1.5W-2

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
AFT05MP075GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4	0	подробности
AFT05MP075NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4	0	подробности
AFT05MS003NT1	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	0	подробности
AFT05MS004NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 520MHZ PLD	3000	подробности
AFT05MS006NT1	NXP USA Inc.	FET RF 30V 520MHZ PLD	0	подробности
AFT05MS031GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ TO270-2G	0	подробности
AFT05MS031NR1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 520MHZ TO-270-2	0	подробности