A2T23H200W23SR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T23H200W23SR6 P1
A2T23H200W23SR6 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2T23H200W23SR6

номер части
A2T23H200W23SR6
производитель
NXP USA Inc.
Описание
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- A2T23H200W23SR6 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2T23H200W23SR6
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.3GHz ~ 2.4GHz
Усиление 15.5dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 10µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 500mA
Выходная мощность 51W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол ACP-1230S-4L2S
Пакет устройств поставщика ACP-1230S-4L2S

сопутствующие товары

Все продукты