A2T18S165-12SR3

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S165-12SR3 P1
A2T18S165-12SR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2T18S165-12SR3

номер части
A2T18S165-12SR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- A2T18S165-12SR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2T18S165-12SR3
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 1.805GHz ~ 1.995GHz
Усиление 18dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 10µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 800mA
Выходная мощность 148W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-780S-2L2L
Пакет устройств поставщика NI-780S-2L2L

сопутствующие товары

Все продукты