A2T08VD020NT1

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T08VD020NT1 P1
A2T08VD020NT1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2T08VD020NT1

номер части
A2T08VD020NT1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- A2T08VD020NT1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2T08VD020NT1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 728MHz ~ 960MHz
Усиление 19.1dB
Напряжение - испытание 48V
Текущий рейтинг 10µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 40mA
Выходная мощность 18W
Напряжение - Номинальное напряжение 105V
Упаковка / чехол 24-QFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика 24-PQFN-EP (8x8)

сопутствующие товары

Все продукты