| номер части | A2G35S200-01SR3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Усиление | 16.1dB |
| Напряжение - испытание | 48V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 291mA |
| Выходная мощность | 180W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 125V |
| Упаковка / чехол | NI-400S-2S |
| Пакет устройств поставщика | NI-400S-2S |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
A2G35S160-01SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR | - | 565 | подробности |
|
A2G35S200-01SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR | - | 533 | подробности |
