PRMD3Z

PRMD3/SOT1268/DFN1412-6
PRMD3Z P1
PRMD3Z P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Nexperia USA Inc. ~ PRMD3Z

номер части
PRMD3Z
производитель
Nexperia USA Inc.
Описание
PRMD3/SOT1268/DFN1412-6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- PRMD3Z PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части PRMD3Z
Статус детали Active
Тип транзистора 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1µA
Частота - переход 230MHz
Мощность - макс. 480mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 6-XFDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика DFN1412-6

сопутствующие товары

Все продукты