Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Nexperia USA Inc. ~ PDTA123JQAZ

номер части: PDTA123JQAZ
производитель: Nexperia USA Inc.
Описание: TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PDTA123JQAZ.pdf PDTA123JQAZ PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

номер части	PDTA123JQAZ
Статус детали	Active
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	50V
Резистор - основание (R1) (Ом)	2.2k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом)	47k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1µA
Частота - переход	180MHz
Мощность - макс.	280mW
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	3-XDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	DFN1010D-3

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
PDTA113EE,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75		подробности
PDTA113EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3		подробности
PDTA113EM,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883		подробности
PDTA113EMB,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN	-	подробности
PDTA113ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3		подробности
PDTA113ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB		подробности
PDTA113EU,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323		подробности
PDTA113ZE,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75		подробности
PDTA113ZK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3		подробности
PDTA113ZM,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883		подробности
PDTA113ZMB,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN		подробности
PDTA113ZS,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3		подробности