2N2222AE3

SMALL-SIGNAL BJT
2N2222AE3 P1
2N2222AE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ 2N2222AE3

номер части
2N2222AE3
производитель
Microsemi Corporation
Описание
SMALL-SIGNAL BJT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- 2N2222AE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 2N2222AE3
Статус детали Active
Тип транзистора NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 800mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 50nA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Мощность - макс. 500mW
Частота - переход -
Рабочая Температура -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика TO-18

сопутствующие товары

Все продукты