IXTP3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
IXTP3N100D2 P1
IXTP3N100D2 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ IXTP3N100D2

номер части
IXTP3N100D2
производитель
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IXTP3N100D2.pdf IXTP3N100D2 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IXTP3N100D2
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37.5nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1020pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты