| номер части | SPB17N80C3ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 800V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 17A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 177nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2300pF @ 100V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 227W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPB17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | - | 4000 | подробности |
 |
SPB17N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK | - | 24055 | подробности |
