Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ PTFA181001E V4 T500

номер части: PTFA181001E V4 T500
производитель: Infineon Technologies
Описание: IC FET RF LDMOS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PTFA181001E V4 T500.pdf PTFA181001E V4 T500 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	PTFA181001E V4 T500
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	1.805GHz ~ 1.88GHz
Усиление	16.5dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	750mA
Выходная мощность	45W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	2-Flatpack, Fin Leads
Пакет устройств поставщика	H-36248-2

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
PTFA181001E V4 T500	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS	подробности
PTFA181001EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2	подробности
PTFA181001EV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2	подробности
PTFA181001FV4R250FTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2	подробности
PTFA181001FV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2	подробности
PTFA181001GL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2	подробности
PTFA181001GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2	подробности
PTFA181001HL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2	подробности
PTFA181001HL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2	подробности