PTAB182002TCV2XWSA1

IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
PTAB182002TCV2XWSA1 P1
PTAB182002TCV2XWSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ PTAB182002TCV2XWSA1

номер части
PTAB182002TCV2XWSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- PTAB182002TCV2XWSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части PTAB182002TCV2XWSA1
Статус детали Obsolete
Тип транзистора -
частота -
Усиление -
Напряжение - испытание -
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест -
Выходная мощность -
Напряжение - Номинальное напряжение -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты