IPW60R280E6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
IPW60R280E6FKSA1 P1
IPW60R280E6FKSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPW60R280E6FKSA1

номер части
IPW60R280E6FKSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IPW60R280E6FKSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPW60R280E6FKSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 950pF @ 100V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 104W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO247-3
Упаковка / чехол TO-247-3

сопутствующие товары

Все продукты