Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPP052NE7N3GXKSA1

номер части: IPP052NE7N3GXKSA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPP052NE7N3GXKSA1.pdf IPP052NE7N3GXKSA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPP052NE7N3GXKSA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	75V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 91µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	68nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4750pF @ 37.5V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 80A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-3-1
Упаковка / чехол	TO-220-3

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
IPP052N06L3GHKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3	0	подробности
IPP052N06L3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3	1093	подробности
IPP052N08N5AKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO220-3	474	подробности
IPP052NE7N3GHKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3	0	подробности
IPP052NE7N3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3	2955	подробности