Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPG20N06S4L26ATMA1

номер части: IPG20N06S4L26ATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPG20N06S4L26ATMA1.pdf IPG20N06S4L26ATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

номер части	IPG20N06S4L26ATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Функция FET	Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	20A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 10µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1430pF @ 25V
Мощность - макс.	33W
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-PowerVDFN
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-4

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
IPG20N04S408AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	0	подробности
IPG20N04S408ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8	5000	подробности
IPG20N04S409ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CHANNEL_30/40V	0	подробности
IPG20N04S412AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	0	подробности
IPG20N04S412ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	0	подробности
IPG20N04S4L07AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	0	подробности
IPG20N04S4L07ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	0	подробности
IPG20N04S4L08AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	0	подробности
IPG20N04S4L08ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	5000	подробности
IPG20N04S4L11AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	0	подробности
IPG20N04S4L11ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	0	подробности
IPG20N06S2L35AATMA1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 8TDSON	5000	подробности