IPC014N03L3X1SA1

MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
IPC014N03L3X1SA1 P1
IPC014N03L3X1SA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPC014N03L3X1SA1

номер части
IPC014N03L3X1SA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPC014N03L3X1SA1.pdf IPC014N03L3X1SA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPC014N03L3X1SA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Tj)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) -
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2A, 10V
Рабочая Температура -
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика Sawn on foil
Упаковка / чехол Die

сопутствующие товары

Все продукты