IKD06N60RAATMA1

IGBT 600V 12A 100W TO252
IKD06N60RAATMA1 P1
IKD06N60RAATMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IKD06N60RAATMA1

номер части
IKD06N60RAATMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 12A 100W TO252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IKD06N60RAATMA1.pdf IKD06N60RAATMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Single
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IKD06N60RAATMA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 12A
Текущий - коллектор импульсный (Icm) 18A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Мощность - макс. 100W
Энергия переключения 110µJ (on), 220µJ (off)
Тип ввода Standard
Ворота затвора 48nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C 12ns/127ns
Условия тестирования 400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) 68ns
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3

сопутствующие товары

Все продукты