BSC190N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
BSC190N15NS3GATMA1 P1
BSC190N15NS3GATMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSC190N15NS3GATMA1

номер части
BSC190N15NS3GATMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BSC190N15NS3GATMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BSC190N15NS3GATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 150V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 31nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2420pF @ 75V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN

сопутствующие товары

Все продукты