| номер части | BSC097N06NSTATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13A (Ta), 48A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 14µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1075pF @ 30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 43W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC097N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 | 10000 | подробности | |
 |
BSC097N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 168160 | подробности |
