Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Global Power Technologies Group ~ GP2M007A080F

номер части	GP2M007A080F
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	38nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1410pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	50W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220F
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
GP2M002A060CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK	0	подробности
GP2M002A060FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A TO220F	0	подробности
GP2M002A060HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A TO220	0	подробности
GP2M002A060PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 2A	0	подробности
GP2M002A065CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK	0	подробности
GP2M002A065FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F	0	подробности
GP2M002A065HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220	0	подробности
GP2M002A065PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK	0	подробности
GP2M004A060CG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A DPAK	0	подробности
GP2M004A060FG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A TO220F	0	подробности
GP2M004A060HG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A TO220	0	подробности
GP2M004A060PG	Global Power Technologies Group	MOSFET N-CH 600V 4A IPAK	3396	подробности