GP1M003A090PH

MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
GP1M003A090PH P1
GP1M003A090PH P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Global Power Technologies Group ~ GP1M003A090PH

номер части
GP1M003A090PH
производитель
Global Power Technologies Group
Описание
MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
GP1M003A090PH.pdf GP1M003A090PH PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части GP1M003A090PH
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 900V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 748pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 94W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика I-Pak
Упаковка / чехол TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

сопутствующие товары

Все продукты