GCMS008A120B1B1

SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
GCMS008A120B1B1 P1
GCMS008A120B1B1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Global Power Technologies Group ~ GCMS008A120B1B1

номер части
GCMS008A120B1B1
производитель
Global Power Technologies Group
Описание
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
GCMS008A120B1B1.pdf GCMS008A120B1B1 PDF online browsing
семья
Модули драйвера питания
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части GCMS008A120B1B1
Статус детали Active
Тип MOSFET
конфигурация Half Bridge
Текущий 300A
напряжение 1200V
Напряжение - изоляция 2500Vrms
Упаковка / чехол Power Module

сопутствующие товары

Все продукты