Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DMTH6004SCT

номер части	DMTH6004SCT
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	95.4nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4556pF @ 30V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.65 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220-3
Упаковка / чехол	TO-220-3

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
DMTH10H005LCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB	-	0	подробности
DMTH10H005SCT	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB	-	38691	подробности
DMTH10H010LCT	Diodes Incorporated	MOSFET 100V 108A TO220AB	-	79	подробности
DMTH10H010LCTB-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R	-	2400	подробности
DMTH10H010LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	103814	подробности
DMTH10H010SCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T	-	48383	подробности
DMTH10H010SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8	-	103814	подробности
DMTH10H010SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50	-	75165	подробности
DMTH10H015LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 100V 52.5A TO252	-	25000	подробности
DMTH10H015LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI	-	5000	подробности
DMTH10H015SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	123776	подробности
DMTH10H015SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	103106	подробности