DMN61D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V SOT23
DMN61D8LQ-7 P1
DMN61D8LQ-7 P2
DMN61D8LQ-7 P3
DMN61D8LQ-7 P1
DMN61D8LQ-7 P2
DMN61D8LQ-7 P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DMN61D8LQ-7

номер части
DMN61D8LQ-7
производитель
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 60V SOT23
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- DMN61D8LQ-7 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DMN61D8LQ-7
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 470mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 3V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 12.9pF @ 12V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 390mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты