| номер части | BAV116HWFQ-7 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 85V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 215mA (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 150mA |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 3µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5nA @ 75V |
| Емкость @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOD-123F |
| Пакет устройств поставщика | SOD-123F |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAV100-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 2500 | подробности |
 |
BAV100-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
BAV101 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2421329 | подробности |
|
BAV101 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 250V 200MA MINIMELF | - | 2656723 | подробности |
 |
BAV101-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
BAV101-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
BAV102 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34 | - | 5000 | подробности |
 |
BAV102,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | подробности | |
 |
BAV102,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS | 0 | подробности | |
 |
BAV102-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 | - | 5000 | подробности |
 |
BAV102-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
BAV102-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF | - | 0 | подробности |
