| номер части | BLP10H603AZ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 860MHz |
| Усиление | 22.8dB |
| Напряжение - испытание | 50V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 15mA |
| Выходная мощность | 2.5W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 104V |
| Упаковка / чехол | 12-VDFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | 12-HVSON (5x6) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H603AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | 0 | подробности | |
 |
BLP10H603Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | - | 0 | подробности |
 |
BLP10H605AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | 60 | подробности | |
 |
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | - | 0 | подробности |
 |
BLP10H610AZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | 1440 | подробности | |
 |
BLP10H610Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | 500 | подробности | |
 |
BLP10H6120PGY | Ampleon USA Inc. | BLP10H6120PG/SOT1224/REELDP | 0 | подробности | |
|
BLP10H6120PY | Ampleon USA Inc. | BLP10H6120P/SOT1223/REELDP | 0 | подробности | |
|
BLP10H630PGY | Ampleon USA Inc. | BLP10H630PG/SOT1224/REELDP | 0 | подробности | |
|
BLP10H630PY | Ampleon USA Inc. | BLP10H630P/SOT1223/REELDP | 0 | подробности | |
|
BLP10H660PGY | Ampleon USA Inc. | BLP10H660PG/SOT1224/REELDP | 0 | подробности | |
|
BLP10H660PY | Ampleon USA Inc. | BLP10H660P/SOT1223/REELDP | 0 | подробности |
