Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF8G10LS-160,118

номер части: BLF8G10LS-160,118
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF8G10LS-160,118.pdf BLF8G10LS-160,118 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF8G10LS-160,118
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	920MHz ~ 960MHz
Усиление	19.7dB
Напряжение - испытание	30V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.1A
Выходная мощность	35W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502B
Пакет устройств поставщика	SOT502B

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
BLF8G10L-160,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A	0	подробности
BLF8G10L-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A	0	подробности
BLF8G10LS-160,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B	0	подробности
BLF8G10LS-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B	0	подробности
BLF8G10LS-270,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	0	подробности
BLF8G10LS-270,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	0	подробности
BLF8G10LS-270GV,12	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C	0	подробности
BLF8G10LS-270GVJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C	100	подробности
BLF8G10LS-270V,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B	0	подробности
BLF8G10LS-270V,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B	0	подробности
BLF8G10LS-300PJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B	100	подробности
BLF8G10LS-300PU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B	0	подробности