Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF6G27L-50BN,118

номер части: BLF6G27L-50BN,118
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF6G27L-50BN,118.pdf BLF6G27L-50BN,118 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF6G27L-50BN,118
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual), Common Source
частота	2.5GHz ~ 2.7GHz
Усиление	16.5dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	430mA
Выходная мощность	3W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-1112A
Пакет устройств поставщика	CDFM6

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BLF6G20-110,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A		0	подробности
BLF6G20-180PN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A		0	подробности
BLF6G20-180RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A		0	подробности
BLF6G20-230P	NXP USA Inc.	IC BASESTATION FINAL SOT502A	-	0	подробности
BLF6G20-230PRN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A		0	подробности
BLF6G20-230PRN,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A		0	подробности
BLF6G20-40,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A		0	подробности
BLF6G20-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A		30	подробности
BLF6G20-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A		0	подробности
BLF6G20-75,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A		0	подробности
BLF6G20LS-110,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B		0	подробности
BLF6G20LS-110,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B		0	подробности