Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF6G15LS-250PBRN:

номер части: BLF6G15LS-250PBRN:
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET 65V 18.5DB SOT1110B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF6G15LS-250PBRN:.pdf BLF6G15LS-250PBRN: PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF6G15LS-250PBRN:
Статус детали	Active
Тип транзистора	-
частота	1.47GHz ~ 1.51GHz
Усиление	18.5dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	64A
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.41A
Выходная мощность	60W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-1110B
Пакет устройств поставщика	LDMOST

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
BLF6G10-135RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A		подробности
BLF6G10-160RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A		подробности
BLF6G10-200RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A		подробности
BLF6G10-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A		подробности
BLF6G10-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A		подробности
BLF6G10L-260PBM,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	-	подробности
BLF6G10L-260PBM:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V SOT1110A	-	подробности
BLF6G10L-260PRN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A		подробности
BLF6G10L-260PRN:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A		подробности
BLF6G10L-40BRN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A		подробности
BLF6G10L-40BRN,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A		подробности
BLF6G10LS-135R,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	-	подробности