| номер части | BLF647P,112 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS (Dual), Common Source |
| частота | 1.3GHz |
| Усиление | 18dB |
| Напряжение - испытание | 32V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 100mA |
| Выходная мощность | 200W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | SOT-1121A |
| Пакет устройств поставщика | CDFM4 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLF640U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | 32 | подробности | |
 |
BLF642,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | 93 | подробности | |
 |
BLF644PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A | 44 | подробности | |
 |
BLF645,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | 1416 | подробности | |
 |
BLF647,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | 0 | подробности | |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | 433 | подробности | |
 |
BLF647PS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | 38 | подробности | |
 |
BLF647PSJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | 0 | подробности | |
 |
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | 0 | подробности | |
|
BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | - | 0 | подробности |
 |
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | 0 | подробности | |
 |
BLF6G10-160RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | 0 | подробности |
