VS-GT180DA120U

IGBT 1200V SOT-227
VS-GT180DA120U P1
VS-GT180DA120U P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT180DA120U

부품 번호
VS-GT180DA120U
제조사
Vishay Semiconductor Diodes Division
기술
IGBT 1200V SOT-227
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- VS-GT180DA120U PDF online browsing
가족
트랜지스터 - IGBT - 모듈
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제품 매개 변수

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부품 번호 VS-GT180DA120U
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench Field Stop
구성 Single
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 281A
전력 - 최대 1087W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 9350pF @ 25V
입력 Standard
NTC 서미스터 No
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC
공급 업체 장치 패키지 SOT-227

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