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| 부품 번호 | SIDR638DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 204nC @ 10V |
| Vgs (최대) | +20V, -16V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 10500pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8DC |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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SIDR638DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 100A SO-8 | - | 61925 | 세부 |