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| 부품 번호 | RN4986FE,LF(CT |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 500nA |
| 빈도 - 전환 | 250MHz, 200MHz |
| 전력 - 최대 | 100mW |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급 업체 장치 패키지 | ES6 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 3000 | 세부 |
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RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 0 | 세부 |
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RN4981FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 1363564 | 세부 |
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RN4982,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 3000 | 세부 |
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RN4982FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 3786 | 세부 |
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RN4982FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 0 | 세부 |
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RN4982FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 1363564 | 세부 |
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RN4983,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 3000 | 세부 |
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RN4983FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 0 | 세부 |
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RN4983FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 1363564 | 세부 |
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RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | 세부 |
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RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 6000 | 세부 |