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BOM

CSD13306W

MOSFET N-CH 12V 3.5A
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › CSD13306W
CSD13306W P1
CSD13306W P1
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Texas Instruments ~ CSD13306W

부품 번호
CSD13306W
제조사
Texas Instruments
기술
MOSFET N-CH 12V 3.5A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- CSD13306W PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 CSD13306W
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 11.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1370pF @ 6V
Vgs (최대) ±10V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 1.9W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 6-DSBGA (1x1.5)
패키지 / 케이스 6-UFBGA, DSBGA

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