STGB6M65DF2

IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
STGB6M65DF2 P1
STGB6M65DF2 P1
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STMicroelectronics ~ STGB6M65DF2

부품 번호
STGB6M65DF2
제조사
STMicroelectronics
기술
IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 STGB6M65DF2
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 12A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 24A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
전력 - 최대 88W
스위칭 에너지 36µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 21.2nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 15ns/90ns
시험 조건 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 140ns
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지 D2PAK

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