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| 부품 번호 | EMH9FHAT2R |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | - |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류 - 콜렉터 차단 (최대) | - |
| 빈도 - 전환 | 250MHz |
| 전력 - 최대 | 150mW |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급 업체 장치 패키지 | EMT6 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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EMH9FHAT2R | Rohm Semiconductor | NPNNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR | - | 1161555 | 세부 |
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EMH9T2R | Rohm Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 | 0 | 세부 |