RFD10P03LSM

MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
RFD10P03LSM P1
RFD10P03LSM P1
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ON Semiconductor ~ RFD10P03LSM

부품 번호
RFD10P03LSM
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 RFD10P03LSM
부품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (최대) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (최대) -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1035pF @ 25V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) -
작동 온도 -
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 TO-252-3
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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