NXH80T120L2Q0S2G

PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
NXH80T120L2Q0S2G P1
NXH80T120L2Q0S2G P1
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ON Semiconductor ~ NXH80T120L2Q0S2G

부품 번호
NXH80T120L2Q0S2G
제조사
ON Semiconductor
기술
PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- NXH80T120L2Q0S2G PDF online browsing
가족
트랜지스터 - IGBT - 모듈
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제품 매개 변수

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부품 번호 NXH80T120L2Q0S2G
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench Field Stop
구성 Three Level Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 57A
전력 - 최대 125W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 19.4nF @ 25V
입력 Standard
NTC 서미스터 Yes
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
공급 업체 장치 패키지 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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