NSV60101DMR6T1G

60V 1A DUAL NPN LOW VCE
NSV60101DMR6T1G P1
NSV60101DMR6T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSV60101DMR6T1G

부품 번호
NSV60101DMR6T1G
제조사
ON Semiconductor
기술
60V 1A DUAL NPN LOW VCE
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이
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제품 매개 변수

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부품 번호 NSV60101DMR6T1G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 2 NPN (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 1A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 60V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 5V
전력 - 최대 530mW
빈도 - 전환 200MHz
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 업체 장치 패키지 SC-74

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